Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin
Samsung lupaa jopa kaksinkertaistaa älypuhelimien tallennusmuistin tiedonsiirtonopeudet aiemmasta. Yhtiö on nimittäin esitellyt 512 gigatavun muistipiirin, joka tukee nopea eUFS 3.0 -muistispesifikaatiota.

Yhtiön mukaan uuden piirin perättiäsluku- ja kirjoitusnopeudet ovat kaksinkertaiset edellisen sukupolven eUFS 2.1 -piireihin verrattuna. Käytännössä lukunopeus 860 megatavusta sekunnissa 2100 megatavuun sekunnissa. Kirjoitusnopeus kasvaa taas 255 megatavusta sekunnissa 410 megatavuun sekunnissa.

Samsung aikoo julkaista maaliskuun aikana 128 gigatavun version muistipiiristä. Tämän jälkeen massatuotantoon menevät 256 gigatavun ja yhden teratavun muistipiirit kuluvan vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Seuraavassa Galaxy Note -mallissa voidaan siis jo käyttää näitä äärimmäisen nopeita piirejä.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Hp kannettava Win 10 Videoeditori ei toimi 13 Kannettavat tietokoneet
Biisiketju 4475 Vapaata keskustelua
USB adapteri kovalevyyn 6 Kannettavat tietokoneet
Onko hyvä paketti? 2 Uutta tietokonetta ostamassa
car x drift ongelma 4 PC:n pelit
uusi kone valmis "pikkuputiikki" mielipiteitä 3 Uutta tietokonetta ostamassa
Huawei 4g ja sen perään ubiquitin reitittimiä ja yhteiset toimimaan 3 WLAN ja lähiverkot
Elokuvia 22 Vapaata keskustelua
Perseilyketju. 2129 Vapaata keskustelua
Imuroin koneen sisuskalut & kävi näin (Reboot and select proper boot device...) 6 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Näytä lisää viestejä