Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin
Samsung lupaa jopa kaksinkertaistaa älypuhelimien tallennusmuistin tiedonsiirtonopeudet aiemmasta. Yhtiö on nimittäin esitellyt 512 gigatavun muistipiirin, joka tukee nopea eUFS 3.0 -muistispesifikaatiota.

Yhtiön mukaan uuden piirin perättiäsluku- ja kirjoitusnopeudet ovat kaksinkertaiset edellisen sukupolven eUFS 2.1 -piireihin verrattuna. Käytännössä lukunopeus 860 megatavusta sekunnissa 2100 megatavuun sekunnissa. Kirjoitusnopeus kasvaa taas 255 megatavusta sekunnissa 410 megatavuun sekunnissa.

Samsung aikoo julkaista maaliskuun aikana 128 gigatavun version muistipiiristä. Tämän jälkeen massatuotantoon menevät 256 gigatavun ja yhden teratavun muistipiirit kuluvan vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Seuraavassa Galaxy Note -mallissa voidaan siis jo käyttää näitä äärimmäisen nopeita piirejä.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Windows 11 - Keskustelu 84 Windows -ongelmat
hot spot ongelma pc:n kanssa 2 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
YLE Areena ongelma 76 Televisiot
Win11 upgrade-päivitys vai uusi kone? 11 Uutta tietokonetta ostamassa
MIKÄ NETTIYHTEYS PERUSKÄYTTÖÖN? 37 Vapaata keskustelua
Biisiketju 4930 Vapaata keskustelua
Hyvät tarjoukset-ketju 1135 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
koneen päivitystä 5 Näytönohjaimet - Apua, kokemuksia ja vinkkejä
Deskjet 500 ajuri win 7 2 avast! - Tuki ja keskustelu
Win10 Youtube sovellus 6 Ajuri- ja softaongelmat
Näytä lisää viestejä