Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin
Samsung lupaa jopa kaksinkertaistaa älypuhelimien tallennusmuistin tiedonsiirtonopeudet aiemmasta. Yhtiö on nimittäin esitellyt 512 gigatavun muistipiirin, joka tukee nopea eUFS 3.0 -muistispesifikaatiota.

Yhtiön mukaan uuden piirin perättiäsluku- ja kirjoitusnopeudet ovat kaksinkertaiset edellisen sukupolven eUFS 2.1 -piireihin verrattuna. Käytännössä lukunopeus 860 megatavusta sekunnissa 2100 megatavuun sekunnissa. Kirjoitusnopeus kasvaa taas 255 megatavusta sekunnissa 410 megatavuun sekunnissa.

Samsung aikoo julkaista maaliskuun aikana 128 gigatavun version muistipiiristä. Tämän jälkeen massatuotantoon menevät 256 gigatavun ja yhden teratavun muistipiirit kuluvan vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Seuraavassa Galaxy Note -mallissa voidaan siis jo käyttää näitä äärimmäisen nopeita piirejä.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Biisiketju 4650 Vapaata keskustelua
Puhelinvertailun arvostelut ei näy 2 Palautetta ylläpidolle
Ryzen 5950X ja muistit 5 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Hyvät tarjoukset-ketju 1097 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Doom 3 Mod pelaajan askeleen äänet 3 PC:n pelit
Upotettu video pysähtyy kesken toiston 7 Ajuri- ja softaongelmat
Acronis ture image oem 32 Ajuri- ja softaongelmat
Mikä hinta Hp envylle 5 Vapaata keskustelua
DNA kaapeli ongelma 35 Laajakaistaliittymät
Pelikone 1200€ 4 Uutta tietokonetta ostamassa
Näytä lisää viestejä