Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin
Samsung lupaa jopa kaksinkertaistaa älypuhelimien tallennusmuistin tiedonsiirtonopeudet aiemmasta. Yhtiö on nimittäin esitellyt 512 gigatavun muistipiirin, joka tukee nopea eUFS 3.0 -muistispesifikaatiota.

Yhtiön mukaan uuden piirin perättiäsluku- ja kirjoitusnopeudet ovat kaksinkertaiset edellisen sukupolven eUFS 2.1 -piireihin verrattuna. Käytännössä lukunopeus 860 megatavusta sekunnissa 2100 megatavuun sekunnissa. Kirjoitusnopeus kasvaa taas 255 megatavusta sekunnissa 410 megatavuun sekunnissa.

Samsung aikoo julkaista maaliskuun aikana 128 gigatavun version muistipiiristä. Tämän jälkeen massatuotantoon menevät 256 gigatavun ja yhden teratavun muistipiirit kuluvan vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Seuraavassa Galaxy Note -mallissa voidaan siis jo käyttää näitä äärimmäisen nopeita piirejä.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Langatonverkko RJ45 portin avulla 3 WLAN ja lähiverkot
2x uusia 27" näyttöjä 2 Tietokoneen näytöt
Biisiketju 5395 Vapaata keskustelua
Pelejä ilmaiseksi 161 PC:n pelit
Tulostimen nimi tulostusasetuksissa 8 Tulostimet, näppäimistöt ja muut oheislaitteet
PlayStation 5 -saatavuus 30 Playstation (PS4 ja PS5)
2 min mustaa ennen aukeamista 12 Windows -ongelmat
Android laitteesta lisänäyttö PC:lle 2 Ajuri- ja softaongelmat
Hyvät tarjoukset-ketju 1221 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Windows 10 - Keskustelu 1239 Windows -ongelmat
Näytä lisää viestejä