Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin
Samsung lupaa jopa kaksinkertaistaa älypuhelimien tallennusmuistin tiedonsiirtonopeudet aiemmasta. Yhtiö on nimittäin esitellyt 512 gigatavun muistipiirin, joka tukee nopea eUFS 3.0 -muistispesifikaatiota.

Yhtiön mukaan uuden piirin perättiäsluku- ja kirjoitusnopeudet ovat kaksinkertaiset edellisen sukupolven eUFS 2.1 -piireihin verrattuna. Käytännössä lukunopeus 860 megatavusta sekunnissa 2100 megatavuun sekunnissa. Kirjoitusnopeus kasvaa taas 255 megatavusta sekunnissa 410 megatavuun sekunnissa.

Samsung aikoo julkaista maaliskuun aikana 128 gigatavun version muistipiiristä. Tämän jälkeen massatuotantoon menevät 256 gigatavun ja yhden teratavun muistipiirit kuluvan vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Seuraavassa Galaxy Note -mallissa voidaan siis jo käyttää näitä äärimmäisen nopeita piirejä.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

P.S. Arvomme kaikkien 27.12.2019 mennessä uutiskirjeen tilanneiden kesken Turtle Beachin kuulokkeet ja mm. Destiny -pelien oheistuotteita!

Kommentoi uutista