Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Samsung paljasti äärimmäisen nopeat muistipiirit älypuhelimiin
Samsung lupaa jopa kaksinkertaistaa älypuhelimien tallennusmuistin tiedonsiirtonopeudet aiemmasta. Yhtiö on nimittäin esitellyt 512 gigatavun muistipiirin, joka tukee nopea eUFS 3.0 -muistispesifikaatiota.

Yhtiön mukaan uuden piirin perättiäsluku- ja kirjoitusnopeudet ovat kaksinkertaiset edellisen sukupolven eUFS 2.1 -piireihin verrattuna. Käytännössä lukunopeus 860 megatavusta sekunnissa 2100 megatavuun sekunnissa. Kirjoitusnopeus kasvaa taas 255 megatavusta sekunnissa 410 megatavuun sekunnissa.

Samsung aikoo julkaista maaliskuun aikana 128 gigatavun version muistipiiristä. Tämän jälkeen massatuotantoon menevät 256 gigatavun ja yhden teratavun muistipiirit kuluvan vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Seuraavassa Galaxy Note -mallissa voidaan siis jo käyttää näitä äärimmäisen nopeita piirejä.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Ei ole varmaa, voiko tietokone jatkaa Windows 11:n asentamista. Käynnistä asennus ohjelma uudestaan. 4 Windows -ongelmat
E-kirjan lukulaite 2 Vapaata keskustelua
Xiaomi Redmi 10C 3 Android -keskustelu
Ulkomaalaisia kauppapaikkoja 1 Vapaata keskustelua
Hyvät tarjoukset-ketju 1209 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Pelejä ilmaiseksi 138 PC:n pelit
Vanha laskutusohjelma pilveen? 3 Windows -ongelmat
Biisiketju 5297 Vapaata keskustelua
mitä rautaa 10 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Windows 11 - Keskustelu 221 Windows -ongelmat
Näytä lisää viestejä