Wisconsin-Madison -yliopistossa Yhdysvalloissa on vihdoin saatu aikaan ensimmäiset nanoputkitransistorit, joiden suorituskyky on ohittanut perinteisen piitransistorin. Samaan aikaan Fujitsu on ilmoittanut aloittavansa ensimmäisten NRAM-muistien valmistuksen vuonna 2018.
Tutkijoiden kehittämät nanoputkitransistorit kantavat 1,9x virtamäärän verrattuna nykyisiin pii- ja gallium-arseniditransistoreihin. Hiilinanoputkista valmistettu NRAM-muistin valmistus tullaan aloittamaan Fujitsun toimesta jo vuonna 2018, mutta tutkijoiden mukaan nanotuubit kelpaavat myös suorittimien valmistukseen.
Fujitsu on lisensoinut Nanteron kehittämän NRAM-tekniikan, ja ensimmäiset vuonna 2018 markkinoille tulevat piirit ovat 256 Mb piirejä 55 nm prosessilla valmistettuna. Hiilinanoputket ovat 50 kertaa vahvempia kuin teräs, ja nimensä mukaisesti NRAM-muisti on myös haihtumatonta, eli sitä voidaan käyttää datan varastointiin myös virran ollessa pois päältä.
Nanteron mukaan NRAM kestää myös 10^12 kirjoituskertaa, eli lähes lopputtomiin - toisin kuin SSD-asemissa nykyään käytetty NAND Flash-muisti. Hiilinanoputket kestävät myös lämpöä 800 asteeseen saakka, joskin testipiirejä on ehditty testata vasta 200 asteen lämmössä.
Materiaalivaihdoksen taustalla on piistä valmistettujen piirien skaalautumisongelmat 5 nm jälkeen, joskin esimerkiksi Intel aikoo ilmeisesti ennen sitä tyytyä pii-germanium-seokseen.
Tulevaisuuden muistitekniikoista käydään tällä hetkellä kovaa kilpailua, ja esimerkiksi Intel on jo esitellyt omaa 3D XPoint -muistiaan käyttäviä SSD-asemia. Lisäksi Samsung on vihjannut tuovansa markkinoille uuden Z-SSD:n, jonka kerrotaan täyttävän paikan SSD:n ja DRAM-muistin välillä. Nanoputkia hyödyntävän NRAM-muistin pitäisi kuitenkin ainakin teoriassa ennen pitkää ohittaa nämä kilpailijat. Nanteron mukaan se toimii jo kuuden muun valmistajan kanssa Fujitsun ohella, ja kehityksen alla on myös 28 nm prosessilla valmistetut 3D-versiot NRAM-muistista, minkä myötä myös kapasiteetin pitäisi kasvaa merkittävästi.
Tutkijoiden kehittämät nanoputkitransistorit kantavat 1,9x virtamäärän verrattuna nykyisiin pii- ja gallium-arseniditransistoreihin. Hiilinanoputkista valmistettu NRAM-muistin valmistus tullaan aloittamaan Fujitsun toimesta jo vuonna 2018, mutta tutkijoiden mukaan nanotuubit kelpaavat myös suorittimien valmistukseen.
Fujitsu on lisensoinut Nanteron kehittämän NRAM-tekniikan, ja ensimmäiset vuonna 2018 markkinoille tulevat piirit ovat 256 Mb piirejä 55 nm prosessilla valmistettuna. Hiilinanoputket ovat 50 kertaa vahvempia kuin teräs, ja nimensä mukaisesti NRAM-muisti on myös haihtumatonta, eli sitä voidaan käyttää datan varastointiin myös virran ollessa pois päältä.
Nanteron mukaan NRAM kestää myös 10^12 kirjoituskertaa, eli lähes lopputtomiin - toisin kuin SSD-asemissa nykyään käytetty NAND Flash-muisti. Hiilinanoputket kestävät myös lämpöä 800 asteeseen saakka, joskin testipiirejä on ehditty testata vasta 200 asteen lämmössä.
Materiaalivaihdoksen taustalla on piistä valmistettujen piirien skaalautumisongelmat 5 nm jälkeen, joskin esimerkiksi Intel aikoo ilmeisesti ennen sitä tyytyä pii-germanium-seokseen.
Tulevaisuuden muistitekniikoista käydään tällä hetkellä kovaa kilpailua, ja esimerkiksi Intel on jo esitellyt omaa 3D XPoint -muistiaan käyttäviä SSD-asemia. Lisäksi Samsung on vihjannut tuovansa markkinoille uuden Z-SSD:n, jonka kerrotaan täyttävän paikan SSD:n ja DRAM-muistin välillä. Nanoputkia hyödyntävän NRAM-muistin pitäisi kuitenkin ainakin teoriassa ennen pitkää ohittaa nämä kilpailijat. Nanteron mukaan se toimii jo kuuden muun valmistajan kanssa Fujitsun ohella, ja kehityksen alla on myös 28 nm prosessilla valmistetut 3D-versiot NRAM-muistista, minkä myötä myös kapasiteetin pitäisi kasvaa merkittävästi.
Kommentoi uutista
Kirjaudu sisään