Vielä vuosi sitten yhdysvaltalaisen muistiteknologiaa kehittävän Crossbar-kasvuyrityksen ReRAM-muistia pidettiin todennäköisenäkin NAND-muistien korvaajana. Inte ja Micron kuitenkin pääsivät yllättämään menneenä kesänä 3D XPoint -tekniikallaan, joka on selvästi kestävämpi ja nopeampi kuin ReRAM.
Intelin ja Micronin suunnitelmana on tuoda 3D XPoint -muistit markkinoille hyvin aggressiivisella aikataululla, niitä voitaisiin olla myynnissä jo ensi vuonna. Kaupallistaminen aloitettaneen kuitenkin yritysmarkkinoiden kautta. Intelin ja Micronin suunnitelmat on ilmeisesti saanut Crossbarin jaloilleen ja kasvuyritys onkin hakenut lisää rahaa teknologiansa kaupallistamiseksi. Tuoreimmalla Series D -rahoituskierroksella Crossbar keräsi vanhoilta ja uusilta sijoittajilta 35 miljoonaa dollaria.
Crossbarin mukaan yhtiön tekniikan kehitys on edennyt suunnitellusti ja se uskoo pystyvänsä pakkaamaan teratavun edestä muistikapasiteettia postimerkin kokoiselle alalle. Tuotanto saatetaan saada alulle ensi vuonna. Crossbarin ReRAMin eduksi voikin jäädä suurempi muistitiheys, sillä 3D XPoint on vain kymmenen kertaa tiheämpi kuin DRAM-muistit.
Intelin ja Micronin suunnitelmana on tuoda 3D XPoint -muistit markkinoille hyvin aggressiivisella aikataululla, niitä voitaisiin olla myynnissä jo ensi vuonna. Kaupallistaminen aloitettaneen kuitenkin yritysmarkkinoiden kautta. Intelin ja Micronin suunnitelmat on ilmeisesti saanut Crossbarin jaloilleen ja kasvuyritys onkin hakenut lisää rahaa teknologiansa kaupallistamiseksi. Tuoreimmalla Series D -rahoituskierroksella Crossbar keräsi vanhoilta ja uusilta sijoittajilta 35 miljoonaa dollaria.
Crossbarin mukaan yhtiön tekniikan kehitys on edennyt suunnitellusti ja se uskoo pystyvänsä pakkaamaan teratavun edestä muistikapasiteettia postimerkin kokoiselle alalle. Tuotanto saatetaan saada alulle ensi vuonna. Crossbarin ReRAMin eduksi voikin jäädä suurempi muistitiheys, sillä 3D XPoint on vain kymmenen kertaa tiheämpi kuin DRAM-muistit.
Kommentoi uutista
Kirjaudu sisään