IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla
IBM:n mukaan se on yhteistyökumppaneidensa kanssa onnistunut luomaan toimivan testipiirin seitsemän nanometrin tuotantotekniikalla. Piiri valmistettiin EUV-litografialla sekä käyttämällä transistoreissa piistä ja germaniumista koostuvaa seosta (SiGe).

Kaikkein edistyksellisimmät puolijohdepiirit valmistetaan tällä hetkellä 14 nanometrin viivanleveydellä. Arvioiden mukaan suurimmat puolijohdevalmistajat siirtyisivät 10 nanometrin tuotantotekniikkaan ensi vuoden loppupuoliskolla ja seitsemään nanometriin ehkä jo vuonna 2017.

TSMC on kertonut suunnitelmistaan tuottaa piirejä seitsemän nanometrin tekniikalla vuonna 2017, mutta se ei ole ainakaan julkisesti vielä esitellyt sillä tuotettuja toimivia piirejä. Intel on myös puhunut siirtyvänsä transistoreissa pois piistä ja käyttävänsä uusia materiaaleja 7 nm:n tekniikalla tuotetuissa transistoreissa.

IBM:n yhteistyökumppaneita tuotantotekniikan kehityksessä olivat GlobalFoundries, Samsung ja SUNY Polytechnic Instituten Colleges of Nanoscale Science and Engineering. IBM ei lähtenyt vielä arvioimaan koska tekniikka olisi valmis kaupallistettavaksi.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Biisiketju 5397 Vapaata keskustelua
Langatonverkko RJ45 portin avulla 4 WLAN ja lähiverkot
PlayStation 5 -saatavuus 31 Playstation (PS4 ja PS5)
katoavat ketjut 73 Palautetta ylläpidolle
Mihin bluetooth-ketju katosi? 1 Android -keskustelu
Android laitteesta lisänäyttö PC:lle 3 Ajuri- ja softaongelmat
2x uusia 27" näyttöjä 2 Tietokoneen näytöt
Pelejä ilmaiseksi 161 PC:n pelit
Tulostimen nimi tulostusasetuksissa 8 Tulostimet, näppäimistöt ja muut oheislaitteet
2 min mustaa ennen aukeamista 12 Windows -ongelmat
Näytä lisää viestejä