IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla
IBM:n mukaan se on yhteistyökumppaneidensa kanssa onnistunut luomaan toimivan testipiirin seitsemän nanometrin tuotantotekniikalla. Piiri valmistettiin EUV-litografialla sekä käyttämällä transistoreissa piistä ja germaniumista koostuvaa seosta (SiGe).

Kaikkein edistyksellisimmät puolijohdepiirit valmistetaan tällä hetkellä 14 nanometrin viivanleveydellä. Arvioiden mukaan suurimmat puolijohdevalmistajat siirtyisivät 10 nanometrin tuotantotekniikkaan ensi vuoden loppupuoliskolla ja seitsemään nanometriin ehkä jo vuonna 2017.

TSMC on kertonut suunnitelmistaan tuottaa piirejä seitsemän nanometrin tekniikalla vuonna 2017, mutta se ei ole ainakaan julkisesti vielä esitellyt sillä tuotettuja toimivia piirejä. Intel on myös puhunut siirtyvänsä transistoreissa pois piistä ja käyttävänsä uusia materiaaleja 7 nm:n tekniikalla tuotetuissa transistoreissa.

IBM:n yhteistyökumppaneita tuotantotekniikan kehityksessä olivat GlobalFoundries, Samsung ja SUNY Polytechnic Instituten Colleges of Nanoscale Science and Engineering. IBM ei lähtenyt vielä arvioimaan koska tekniikka olisi valmis kaupallistettavaksi.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Windows 11 - Keskustelu 84 Windows -ongelmat
hot spot ongelma pc:n kanssa 2 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
YLE Areena ongelma 76 Televisiot
Win11 upgrade-päivitys vai uusi kone? 11 Uutta tietokonetta ostamassa
MIKÄ NETTIYHTEYS PERUSKÄYTTÖÖN? 37 Vapaata keskustelua
Biisiketju 4930 Vapaata keskustelua
Hyvät tarjoukset-ketju 1135 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
koneen päivitystä 5 Näytönohjaimet - Apua, kokemuksia ja vinkkejä
Deskjet 500 ajuri win 7 2 avast! - Tuki ja keskustelu
Win10 Youtube sovellus 6 Ajuri- ja softaongelmat
Näytä lisää viestejä