IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla
IBM:n mukaan se on yhteistyökumppaneidensa kanssa onnistunut luomaan toimivan testipiirin seitsemän nanometrin tuotantotekniikalla. Piiri valmistettiin EUV-litografialla sekä käyttämällä transistoreissa piistä ja germaniumista koostuvaa seosta (SiGe).

Kaikkein edistyksellisimmät puolijohdepiirit valmistetaan tällä hetkellä 14 nanometrin viivanleveydellä. Arvioiden mukaan suurimmat puolijohdevalmistajat siirtyisivät 10 nanometrin tuotantotekniikkaan ensi vuoden loppupuoliskolla ja seitsemään nanometriin ehkä jo vuonna 2017.

TSMC on kertonut suunnitelmistaan tuottaa piirejä seitsemän nanometrin tekniikalla vuonna 2017, mutta se ei ole ainakaan julkisesti vielä esitellyt sillä tuotettuja toimivia piirejä. Intel on myös puhunut siirtyvänsä transistoreissa pois piistä ja käyttävänsä uusia materiaaleja 7 nm:n tekniikalla tuotetuissa transistoreissa.

IBM:n yhteistyökumppaneita tuotantotekniikan kehityksessä olivat GlobalFoundries, Samsung ja SUNY Polytechnic Instituten Colleges of Nanoscale Science and Engineering. IBM ei lähtenyt vielä arvioimaan koska tekniikka olisi valmis kaupallistettavaksi.

Hardware.fi päivän diilit sähköpostiisi!

Tilaa ilmainen uutiskirjeemme ja saat aina tiedon, kun löydämme jonkin huikean tarjouksen nettiä selatessamme:

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Keskustelualue
Biisiketju 4753 Vapaata keskustelua
Ongelma kuvien lähetyksessä 13 Android -keskustelu
Nokia, Lenovo ja H.264 2 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Hyvät tarjoukset-ketju 1113 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Microsoft Edge - Keskustelu 6 Windows -ongelmat
AMD 5950X 1 PC:n rautaan liittyvä keskustelu
Windows 11 - Keskustelu 22 Windows -ongelmat
Mahd. tehokas toimistokone 400-500e 2 Uutta tietokonetta ostamassa
kone sammuilee itsestään ja näyttö sekoaa 28 Windows -ongelmat
Pelejä ilmaiseksi 56 PC:n pelit
Näytä lisää viestejä