ARM:n mukaan yhtiön 64-bittinen, big.LITTLE-arkkitehtuuriin perustuva suoritinpiiri (kaksi Cortex-A57-ydintä ja neljä Cortex-A53-ydintä) tapeoutattiin viime vuoden lopulla TSMC:n 16 nanometrin FinFET-valmistustekniikalle. Vuosi sitten yhdestä Cortex-A57 -ytimestä koostuva prosessori saavutti saman vaiheen. Tapeout on suoritinpiirin suunnitteluvaihe, jonka jälkeen sirun massatuotanto on valmis aloitettavaksi.
Jos odotat 16 nanometrin tekniikalla valmistettujen järjestelmäpiirien tuloa älypuhelimiin, niin älä tee sitä ainakaan henkeä pidätellen. TSMC:n 20 nanometrin tuotanto pääsee kunnolla vauhtiin tämän vuoden aikana. Pienempään 16 nanometrin FinFET-tekniikkaan piirivalmistaja siirtyy seuraavan parin vuoden aikana. TSMC:n toimitusjohtaja Morris Chang arvioi vuosi sitten, että 16 nm:n sirujen toimitusvolyymit tulevat olemaan alhaisella tasolla vielä vuonna 2015.
TSMC kertoi alkuvuonna, että sen tiedossa on 20 mikropiirin edistyminen tapeout-vaiheeseen 16 nm:n FinFET-tekniikassa tämä vuoden aikana. Uudella tekniikalla voidaan parantaa mikropiirien suorituskykyä 40 prosentilla pitämällä energiankulutus samana (verrattuna nykyiseen 28 nm:n tekniikkaan). Kääntäen, tekniikka mahdollistaa 55 prosenttia alhaisemman energiankulutuksen 28 nanometrin valmistusprosessiin nähden, kun piirien suorituskyky on sama.
Jos odotat 16 nanometrin tekniikalla valmistettujen järjestelmäpiirien tuloa älypuhelimiin, niin älä tee sitä ainakaan henkeä pidätellen. TSMC:n 20 nanometrin tuotanto pääsee kunnolla vauhtiin tämän vuoden aikana. Pienempään 16 nanometrin FinFET-tekniikkaan piirivalmistaja siirtyy seuraavan parin vuoden aikana. TSMC:n toimitusjohtaja Morris Chang arvioi vuosi sitten, että 16 nm:n sirujen toimitusvolyymit tulevat olemaan alhaisella tasolla vielä vuonna 2015.
TSMC kertoi alkuvuonna, että sen tiedossa on 20 mikropiirin edistyminen tapeout-vaiheeseen 16 nm:n FinFET-tekniikassa tämä vuoden aikana. Uudella tekniikalla voidaan parantaa mikropiirien suorituskykyä 40 prosentilla pitämällä energiankulutus samana (verrattuna nykyiseen 28 nm:n tekniikkaan). Kääntäen, tekniikka mahdollistaa 55 prosenttia alhaisemman energiankulutuksen 28 nanometrin valmistusprosessiin nähden, kun piirien suorituskyky on sama.
Kommentoi uutista
Kirjaudu sisään