Resistiiviset RAMit ovat askeleen lähempänä todellisuutta - jopa 20 kertaa nopeampia kuin nykyiset flash-muistit

Yhdysvaltalainen Crossbar kertoo olevansa hyvin lähellä tuoreen tekniikan kaupallistamista. RRAMia (RRAM tai ReRAM) pidetään perinteisten NAND-muistien potentiaalisena seuraajana, koska sen avulla päästään suurempiin kirjoitusnopeuksiin ja pienempään virrankulutukseen.

Crossbar lupaa tuotteelleen 20-kertaista kirjoitusnopeutta, 20-kertaa pienempää virrankulutusta ja 10-kertaa parempaa datan kestävyyttä perinteiseen NAND-muistiin verrattuna. Yhtiön mukaan myös muistien fyysinen koko tulee putoamaan jopa puoleen, mikä mahdollistaisi suuret tallennuskapasiteetit esimerkiksi puhelinten kokoisissa laitteissa. Käytännössä puhutaan yli teratavun tallennustilasta postimerkkiä pienemmällä laitteella. Tekniikka mahdollistaa myös 3D-pinoamisen, minkä avulla kapasiteettia voidaan moninkertaistaa.

- Olemme kehitystyössämme saavuttaneet kaikki tarpeelliset tekniset merkkipaalut, joilla todistamme että tuotteemme on helppo valmistaa ja valmis kaupallistamiseen, kertoo yhtiön toimitusjohtaja George Minassian.

Crossbarilla ei tällä hetkellä vielä valmista tuotetta myyntiin, joten takaiskuja valmistuksen suhteen saattaa vielä ilmetä, vaikkakin yhtiöllä on olemassa toimiva prototyyppi, huomautetaan PC Prossa.

RRAMia on kehitetty jo vuosien ajan monien yhtiöiden toimesta. Tekniikkaa on demottu onnistuneesti esimerkiksi IEDM (International Electron Devices Meeting) konferenssissa vuonna 2008. Tulevaisuudessa RRAM-tekniikkaa saatetaan nähdä esimerkiksi juuri kännyköissä, muistitikuissa ja SSD-levyissä.

• muisti
• Flash-muisti
• NAND Flash
• RRAM
• Crossbar