Hynix julkisti tietoja DDR4-muisteistaan

Eteläkorealainen Hynix Semiconductor ilmoitti, että se on onnistunut kehittämään kahden gigatavun DDR4-muistikamman. Ensimmäisenä DDR4-muistin (DIMM) kehittämisestä raportoi Samsung tämän vuoden alussa.

Hynixin kehittämä DDR4-muistikampa on SODIMM-tyyppiä, joten sen ensisijainen markkinasegmentti on pienet palvelimet ja työpöytäkoneet sekä kannettavat. Yhtiön ilmoittamien lukujen mukaan muistikamman nopeus on 2400 MHz ja käyttöjännite on 1,2 volttia. Muistikammoissa käytetyt muistipiirit on valmistettu prosessilla, jolla päästään kokoluokaltaan 30 nanometrin viivanleveyteen (ts. viivanleveys vaihtelee välillä 30–39 nm). Hynixin muistit täyttävät JEDEC-standardin.

Aivan hetikohta DDR4-muistit eivät ole markkinoille ryntäämässä, sillä Hynix ilmoitti massatuotannon alkavan vasta vuoden 2012 loppupuoliskolla. Samsung ilmoitti aloittavansa tuotannon samaoihin aikoihin. Markkinatutkimusyhtiö iSupplin mukaan DDR4-muisteista tulee valtavirtaa vuonna 2015.

• DDR4
• Hynix