IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

IBM valmisti toimivan piirin 7 nm:n tekniikalla
IBM:n mukaan se on yhteistyökumppaneidensa kanssa onnistunut luomaan toimivan testipiirin seitsemän nanometrin tuotantotekniikalla. Piiri valmistettiin EUV-litografialla sekä käyttämällä transistoreissa piistä ja germaniumista koostuvaa seosta (SiGe).

Kaikkein edistyksellisimmät puolijohdepiirit valmistetaan tällä hetkellä 14 nanometrin viivanleveydellä. Arvioiden mukaan suurimmat puolijohdevalmistajat siirtyisivät 10 nanometrin tuotantotekniikkaan ensi vuoden loppupuoliskolla ja seitsemään nanometriin ehkä jo vuonna 2017.

TSMC on kertonut suunnitelmistaan tuottaa piirejä seitsemän nanometrin tekniikalla vuonna 2017, mutta se ei ole ainakaan julkisesti vielä esitellyt sillä tuotettuja toimivia piirejä. Intel on myös puhunut siirtyvänsä transistoreissa pois piistä ja käyttävänsä uusia materiaaleja 7 nm:n tekniikalla tuotetuissa transistoreissa.

IBM:n yhteistyökumppaneita tuotantotekniikan kehityksessä olivat GlobalFoundries, Samsung ja SUNY Polytechnic Instituten Colleges of Nanoscale Science and Engineering. IBM ei lähtenyt vielä arvioimaan koska tekniikka olisi valmis kaupallistettavaksi.

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Uusin viesti Keskustelualue
Pakattujen tiedostojen indeksointi. 1 13.4.2017 10:14 Windows 7
Edullinen peliläppäri 2 31.3.2017 10:20 Kannettavat tietokoneet
Bioshock pelit 1 ja 2 kaatavat koneen 3 31.1.2017 18:34 PC-pelit
Ongelmia näytönohjaimen(?) kanssa 3 10.11.2016 18:23 Yleistä keskustelua
Lisää... | Kirjoita uusi viesti keskustelualueille