Intel ja Micron hyppäävät mukaan 3D NAND -muisteihin

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Intel ja Micron hyppäävät mukaan 3D NAND -muisteihin
Intel ja Micron ovat esitelleet omaa 3D NAND -tekniikkaa, joka mahdollistaa muistisolujen pinoamisen päällekkäisiin tasoihin. Samsung julkaisi ensimmäisen kuluttajille suunnatun kolmiulotteisella tekniikalla valmistetun SSD-muistin viime vuonna.

Intelin ja Micronin kehittämät 3D NAND -muistit tulevat saataville 32 gigatavun (MLC) ja 48 gigatavun (TLC) siruina. Pienemmän kapasiteetin sirujen näytetoimitukset ovat jo alkaneet valikoiduille yhteistyökumppaneille, kun taas TLC-piirien kohdalla samaan vaiheeseen päästää myöhemmin keväällä. Sirujen avulla purukumipaketin kokoisiin SSD-asemiin voidaan Intelin mukaan mahduttaa 3,5 teratavun edestä tallennustilaa. Normaaliin 2,5 tuuman asemaan tallennuskapasiteettia saadaan yli 10 teratavun verran.

Massatuotanto alkaa todenteolla näillä näkymin tämän vuoden lopulla, joten aivan heti kohta Intel ja Micron eivät uhkaa Samsungin muisteja – tosin Samsung ei ole tähänkään asti kaupitellut muistipiirejään, vaan se on myynyt sen 3D-muistisiruja käyttäviä SSD-asemia.

Myös Toshiba on liittynyt 3D-muistipiirien valmistajien joukkoon. Yhtiö kertoi aloittaneensa 48 tasosta koostuvien 16 gigatavun sirujen (MLC) näytetoimitukset.

Kommentoi uutista