Läpimurto puolijohteissa: Piin korvaaminen yhä lähempänä

Kirjoittaja Manu Pitkänen, | Kommentteja (2)

Läpimurto puolijohteissa: Piin korvaaminen yhä lähempänä
Piin käyttö puolijohteiden raaka-aineena alkaa tulla tiensä päähän, kun siihen perustuvien transistoreiden kutistaminen käy yhä vaikeammaksi. Puolijohdeteollisuus etsiikin kiivaasti uudenlaisia materiaaleja piin korvaamiseksi.

Yhtenä vaihtoehtona on monesti otsikoissa vilahtanut "ihmeaine" grafeeni, jonka fysikaaliset ominaisuudet ovat kieltämättä houkuttelevia puolijohdeteollisuuden näkökulmasta. Grafeenin esteenä on kuitenkin materiaalin valmistamisen hankaluus, vaikka tänäkin vuonna on kerrottu jo muutamasta grafeenin massatuotantoon liittyvästä läpimurrosta.

Lyhyellä aikavälillä piin mahdollinen korvaaja voisi olla germanium, jota käytettiin aikoinaan ensimmäisten transistoreissa ennen kuin piin ympärille onnistuttiin luomaan toimiva transistorituotanto. Germaniumin etuna on piihin verrattuna selvästi korkeampi sähkönjohtavuus, mikä mahdollistaa aiempaa nopeampien piirien valmistuksen.

Germanium-piirien valmistuksen esteenä on kuitenkin ollut se, että alkuaineesta on onnistuttu valmistamaan kunnolla vain p-tyypin puolijohteita. Purduen yliopiston tutkija Peide Ye on kuitenkin löytänyt uuden tavan valmistaa suorituskykyisiä n-tyypin puolijohteita. Löydön ansiosta germaniumpiirejä voitaisiin tulevaisuudessa valmistaa nykyisellä CMOS-tekniikalla.

2 kommenttia

RekookeR
Toivottavasti johtaa myös aurinkopaneelien kehitykseen.

-Reko

Michelola
Originally posted by RekookeR:
Toivottavasti johtaa myös aurinkopaneelien kehitykseen.
Germaniumin energia-aukko ei ole hyvä auringonsäteilyn spektriin kannalta eikä sitä siitä syystä käytetä aurinkokennoissa, joten tämä ei tule vaikuttamaan niiden kehitykseen
Viestiä on muokattu sen lähettämisen jälkeen. Viestiä on muokattu viimeksi 21. joulukuu, 2014 @ 21:02

HIROSHIMA 45
TSHERNOBYL 86
WINDOWS 95

Kommentoi uutista