TSMC kiihdyttää 10 nanometriin siirtymistä

Kirjoittaja Manu Pitkänen, | Kommentteja (1)

TSMC kiihdyttää 10 nanometriin siirtymistä
Taiwanilainen puolijohdevalmistaja TSMC aikoo nopeuttaa 10 nanometrin prosessin kehitystä, raportoi Digitimes sisäpiirilähteiden tietoihin perustuen. Uuden sukupolven valmistustekniikan kehityksen vauhdittamisen syynä on kuulemma se, että Samsung onnistui nappaamaan itselleen Qualcommin 14 nanometrin tilaukset TSMC:n nenän edestä.

Samsung ja Globalfoundries kertoivat keväällä solmineensa yhteistyösopimuksen, minkä myötä molempien yhtiöiden tuotantolaitoksissa käytetään samaa 14 nanometrin FinFET-valmistusprosessia. Sen ansiosta yhtiöt pystyvät käsittelemään isojenkin asiakkaiden, kuten Qualcommin, tilaukset.

Digitimesin aiemmin raportoimien tietojen mukaan myös Apple olisi saanut tarjouksen Samsungilta 14 nanometrin järjestelmäpiirien valmistuksesta. A-järjestelmäpiirit on yleensä olleet Samsungin valmistamia, mutta tänä vuonna julkaistavissa mobiililaitteissa käytettävät A8-piirit ovat TSMC:n käsialaa.

Digitimesin mukaan TSMC yllättyi siitä, kuinka nopeasti Samsung pystyi siirtymään 14 nanometriin. Tämän seurauksena yhtiö päätti kiihdyttää siirtymistä 10 nanometrin valmistustekniikkaa, jotta tärkeät sirutilaukset eivät enää valuisi sen ohi.
TSMC:n verkkosivujen mukaan sen tavoitteena on saada 10 nanometrin tekniikka tuotantokelpoiseksi vuoden 2015 aikana (ns. risk production -vaihe). Varsinainen massatuotanto voisi alkaa vuosi tämän jälkeen.

1 kommentti

hannibal_pjv
Hmmm... Jaha... hyppäävät jälleen yli yhden sukupolven, kun eivät saa edellistäkään toimimaan...
Lupaa "hyvää" uusian graffakorttien suhteen. Parannusta luvassa joskus 2030, tai jotain sinnepäin.

Kommentoi uutista