Samsung ja Globalfoundries aloittavat yhteistyön 3D-transistoreissa

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Samsung ja Globalfoundries aloittavat yhteistyön 3D-transistoreissa
Globalfoundries ja Samsung ovat aiemmin sopineet pitävänsä tuotantolaitostensa tuotantotekniikan synkronoituna, eli molemmat yhtiöt siirtyvät uusiin tekniikoihin suunnilleen samanaikaisesti. Nyt Samsung kertoo lisensoineensa (monivuotinen yksinoikeussopimus) sen kehittämän 14 nanometrin FinFET-tekniikan (3D-transistorit) Globalfoundriesille.

Yhteistyö tarkoittaa käytännössä sitä, että Globalfoundriesin Saratogan ja Samsungin Hwaseongin sekä Austinin tehtailla voidaan tuottaa mikropiirejä samalla tekniikalla. Tämä kiinnostanee erityisesti niitä asiakkaita, jotka tarvitsevat siruilleen suuria tuotantovolyymeitä ja arvostavat hajautettua tuotantoa. Samsungin mukaan se on valmis aloittamaan 14 nanometrin FinFET-tuotannon tämän vuoden lopulla.

Samsungin ja Globalfoundriesin tärkein kilpailija, taiwanilainen TSMC, on kertonut aloittavansa tuotannon 16 nanometrin FinFET-tekniikalla vuoden 2014 aikana.

Intel on vuorostaan sanonut aloittavansa tuotannon 14 nanometrin tekniikalla tämän vuoden alussa ja Broadwell-suorittimien julkaisun ajoittuvan tämän vuoden lopulle. Yhtiö on siis edelleen muita edellä tuotantotekniikassa.
14 nanometrin FinFET-tekniikan avulla puhelimissa, tietokoneissa ja tableteissa käytettävistä mikropiireistä on mahdollista tehdä pienempiä ja aiempaa vähävirtaisempia.

Kommentoi uutista