Toshiba kehittämässä uusia muistityyppejä

Kirjoittaja Panu Roivas,

Toshiba kehittämässä uusia muistityyppejä
Toshiba on valottanut vastikään sen tulevaa tutkimusta ja tuotekehitystä. Toshiba on jo tällä hetkellä massatuotantovaiheessa 19 nm NAND flash -piirien osalta, mutta jatkossa tulossa on uusia kolmiulotteisia muistirakenteita, jotka tuovat selvästi lisää suorituskykyä.

Ensimmäisenä vuorossa on "BiCS" NAND-muisti, jonka hinta on nykyistä NAND flash -muistia pienempi kun piirillä on kerroksia yli 15. Ensimmäiset 128 ja 256 Gb prototyypit valmistuvat ensi vuonna, ja massatuotanto aloitetaan 2015.

Toshiba esitteli myös 64 Gb ReRAM-piiriä, ja myös sen aikataulu noudattelee samaa kaavaa. Vaikka prototyyppipiirin koko onkin pienempi kuin BiCSin, Toshiba uskoo piirien kapasiteettien olevan massatuotantovaiheessa samaa luokkaa. ReRAM-muistien etuna on niiden nopea kirjoitusnopeus, ja tätä muistityyppiä tullaan näkemään korkean suorituskyvyn tuotteissa.

ReRAMin lisäksi Toshiba kehittää myös STT-MRAM-muisteja, joita tullaan käyttämään välimuisteina esimerkiksi SSD-levyissä.

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Uusin viesti Keskustelualue
Bioshock pelit 1 ja 2 kaatavat koneen 3 31.1.2017 18:34 PC-pelit
Ongelmia näytönohjaimen(?) kanssa 3 10.11.2016 18:23 Yleistä keskustelua
Lisää... | Kirjoita uusi viesti keskustelualueille