Buffalolta ensimmäinen MRAM-välimuistilla varustettu SSD
Buffalo on esitellyt ensimmäistä MRAM-muistia käyttävää SSD-levyä Embedded Systems Expo -messuilla Japanissa.
Buffalon 4 gigatavun SSD käyttää 8 Mt välimuistinaan uutta MRAM-muistityyppiä, joka pitää välimuistin tiedot tallessa myös virran katkettua. Pienikokoinen SSD-levy ei ole tarkoitettu kuluttajakäyttöön, vaan teollisuusinstrumentteihin, jossa sen on kestettävä käyttöä n. 85 asteen lämpötilassa.
MRAM-muisti on kehityksen alla oleva magneettisiin materiaaleihin perustuva muistityyppi, joka on nopeudeltaan DRAM-muistin tasoa, mutta kyseessä on haihtumaton muistityyppi, joka ei hävitä dataa virran katketessa. MRAMin etuna välimuistikäytössä on lisäksi sen entistä nopeampi käynnistysnopeus, sillä MRAM SSD pystyy pitämään hallintatiedot nopeassa välimuistissa FLASH-muistin sijaan. Perinteisen välimuistin päällä pitäminen syö myös paljon sähköä, joten MRAM-välimuisti auttaa myös vähentämään SSD:n tehonkulutusta.
Buffalo on vasta aloittamassa mallikappaleiden toimituksia teollisuuskäyttöön, joten kuluttajakäytössä MRAM-välimuistilla varustettuja SSD-levyjä joutunee odottelemaan vielä hyvän tovin. Uusien muistityyppien odotetaan kuitenkin saapuvan markkinoille lähivuosina.
1 KOMMENTTI
hannibal_pjv1/1
Hmm... Eikäs tämä ole samaa tavaraa mitä on enneustettu myös tietokoneiden keskusmuistien korvaajaksi jossain kaukaisessa tulevaisuudessa. Kiva nähdä mitä tuo tullessaan, kun joku oikeasti pääsee sitä tyyppäämään.
TÄMÄN UUTISEN KOMMENTOINTI ON PÄÄTTYNYT