Uusi muistitekniikka yhdistää RAM- ja flash-muistin

Kirjoittaja Manu Pitkänen, | Kommentteja (2)

Uusi muistitekniikka yhdistää RAM- ja flash-muistin
North Carolina State Universityn tutkijat ovat kehittäneet uudenlaisen DFG-FET-muistitekniikan (Dual-Floating Gate Field Effect Transistor), joka yhdistää haihtuvien ja haihtumattomien muistien ominaisuudet.

Tavallisissa tietokoneissa käytetän tällä hetkellä keskusmuistia (RAM), joka varastoi tietoa vain sen aikaa kun tietokone on päällä. Tieto "haihtuu" kun muistien läpi ei kulje virtaa. Uudemmissa tietokoneissa käytetään myös flash-muistitekniikkaan hyödyntäviä SSD-asemia, jotka varastoivat muistia pitkäkestoisesti eikä tieto "haihdu" vaikkei virta kierrä asemassa. RAM-muisti on kaksikosta kuitenkin nopeampi muistitekniikka.

Tutkijoiden kehittämän muistityypin ansiosta haihtuvien ja haihtumattomien muistien ominaisuudet voidaan yhdistää. Kauaskantoisessa visiossa tämä tarkoittaisi sitä, että tietokoneissa ei enää tarvittaisi erikseen keskus- ja tallennusmuistia. Isoille palvelinkeskuksille uudesta muistista on paljon hyötyä, koska se mahdollistaa tiettyjen palvelimien kytkemisen pois päältä ilman että tietoa hukkuu. Tämä taas näkyy positiivisesti keskuksen sähkölaskussa. Uusi muisti mahdollistaa myös laitteiden välittömän käynnistyksen.

2 kommenttia

myllis
Tämän tekniikan olen aina uskonut olevan mahdollista ja nyt se on vasta kehitetty. Toivottavasti tällaista tullaan näkemään kauppojen hyllyillä 2020-luvulla.
Raattis
Itse olen aina suhtautunut tällaiseen muistiin kriittisesti. Toki se kuulostaa teoriassa hyvältä, mutta entäs tapaukset, joissa kone menee jumiin tai vaatii uudelleenkäynnistyksen. Muistin kirjoittaminen täyteen nollia, ei voi olla käytännöllinen ratkaisu.

Kovalevyn korvikkeena tällaisella ei olisi muita huonoja puolia kuin hinta.
Viestiä on muokattu sen lähettämisen jälkeen. Viestiä on muokattu viimeksi 28. tammikuu, 2011 @ 11:22

Kommentoi uutista