Samsung rakensi 2133 MHz DDR4-muistikamman

Kirjoittaja Teemu Laitila,

Samsung rakensi 2133 MHz DDR4-muistikamman
Samsung on rakentanut omien sanojensa mukaan maailman ensimmäisen DDR4-muistikamman, kertoo VR-Zone.com. Kamman muistimoduulit on rakennettu 30 nm:n luokan prosessitekniikalla, eli tarkka luku on 30 - 39 nm:n välissä. Uusi muistikampa saavuttaa jopa 2,133 GT/s nopeuden vain 1,2 voltin jännitteellä verrattuna nykyisten muistien 1,6 GT/s vauhteihin, joihin vaaditaan 1,35 tai 1,5 voltin jännitettä.

Matalampi käyttöjännite lupaa jopa 40 prosentin virransäästöä verrattuna nykyisiin 1,5 voltin jännitteellä toimiviin DDR3-muisteihin. Uuden Pseudo Open Drain -tekniikan ansiosta DDR4-muisti vaatii DDR3-muistiin verrattuna puolet vähemmän virtaa luku- ja kirjoitusoperaatioihin. Virallisten määrittelyjen mukaan DDR4-muistin nopeudet vaihtelevat 1600 MHz:stä 3200 MHz:n, mutta nopeampiakin kampoja ilmestynee myyntiin.

Samsung ei ole kertonut tarkempia suunnitelmiaan DDR4-muistin valmistuksen aloittamisesta. Uuden muistityypin yleistyminen on paljolti kiinni piirivalmistajien siirtymisestä uuteen tekniikkaan ja tällä hetkellä DDR3-muistilla pärjätään vielä kohtuullisen hyvin.

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Uusin viesti Keskustelualue
Bioshock pelit 1 ja 2 kaatavat koneen 1 17.1.2017 13:45 PC-pelit
Ongelmia näytönohjaimen(?) kanssa 3 10.11.2016 18:23 Yleistä keskustelua
Synaptics ohjauspaneeli ei toimi 3 11.8.2016 21:01 Kannettavat tietokoneet
Lisää... | Kirjoita uusi viesti keskustelualueille