Intel, Toshiba ja Samsung kehittävät yhteistyössä 10 nanometrin prosessia

Kirjoittaja Manu Pitkänen,

Intel, Toshiba ja Samsung kehittävät yhteistyössä 10 nanometrin prosessia
Nikkei Dailyn tietojen mukaan puolijohdevalmistajat Intel, Toshiba ja Samsung aikovat tiivistää yhteistyötään ratkaistakseen ongelmia, jotka tulevat eteen siirryttäessä aiempaa pienempiin valmistustekniikoihin. Yhteistyön tarkoituksena on kehittää teknologiaa 10 nanometrin prosessia varten.

Samsung ja Toshiba ovat maailman suurimmat NAND-tyyppisten muistisirujen valmistajat ja Intel on maailman suurin siruvalmistaja, joten yhteistyö hyödyttää jokaista osapuolta. Intelin kiinnostus NAND-muisteja kohtaan on kasvanut viime vuosina, mutta yhtiö tulee käyttämään tekniikkaa todennäköisesti myös prosessoreissaan.

Japanin valtio tukee hanketta 61 miljoonalla dollarilla. Yhtiöiden on tarkoitus aloittaa yhteistyö nopealla aikataululla ja päämääränä on ratkaista 10 nanometrin valotustekniikkaan liittyvät ongelmat vuoteen 2016 mennessä.

Tällä hetkellä prosessorit valmistetaan 35 nanometrin tekniikalla ja tulevat muistisirut tuotetaan 25 tai 22 nanometrin tekniikoilla. Näin pieniin valmistusprosesseihin tarvittiin korkean k-arvon metallihilojen käyttöä, mutta alle 20 nanometrin tekniikoissa on keksittävä uudenlaisia ratkaisuja transistoreiden hiloihin.

Kommentoi uutista