Samsung aloittaa ensimmäisenä 20nm NAND flash -muistien valmistuksen

Kirjoittaja Panu Roivas, | Kommentteja (1)

Samsung aloittaa ensimmäisenä 20nm NAND flash -muistien valmistuksen
Samsung Electronics ilmoitti tänään, että se on ensimmäisenä valmistajana alkanut valmistamaan 20nm luokkaa olevia NAND flash -muistipiirejä.

Uudet piirit ovat 64 Gb kokoisia ja muodostuvat 3-bittisistä soluista. Samsung ei kerro tarkalleen monenko nanometrin prosessitekniikkaa se käyttää, luultavasti koska prosessi lienee oikeasti lähempänä 28 nanometriä kuin 20 nanometriä.

Uudet piirit tulevat käyttöön tiheää tallennustilaa vaativiin ratkaisuihin, kuten Secure Digital (SD) -muistikortteihin ja USB-muisteihin. Uudet kahdeksan gigatavun piirit mahdollistavat flash-muistia käyttävien laitteiden tallennustilan tuplaantumisen myös älypuhelimissa ja SSD-levyissä, joissa käytetään NAND-flashia. Myös Intel on aikeissa valmistaa 25 nm prosessitekniikalla SSD-levyjä, joiden julkaisua odotetaan ensi vuoden alkuun.

1 kommentti

ArskaVi
"Uudet piirit ovat 64 Gb kokoisia"

... ja tulevat käyttöön SD-kortteihin ja USB-tikkuihin.

Tarkoittaako tämä sitten, että pienimmät kortit ja tikut ovat 8 GB?

Kommentoi uutista

Uusimmat viestit keskustelualueillamme

Keskustelu Viestejä Uusin viesti Keskustelualue
Pakattujen tiedostojen indeksointi. 1 13.4.2017 10:14 Windows 7
Edullinen peliläppäri 2 31.3.2017 10:20 Kannettavat tietokoneet
Bioshock pelit 1 ja 2 kaatavat koneen 3 31.1.2017 18:34 PC-pelit
Ongelmia näytönohjaimen(?) kanssa 3 10.11.2016 18:23 Yleistä keskustelua
Lisää... | Kirjoita uusi viesti keskustelualueille