Samsung aloittaa ensimmäisenä 20nm NAND flash -muistien valmistuksen

Samsung Electronics ilmoitti tänään, että se on ensimmäisenä valmistajana alkanut valmistamaan 20nm luokkaa olevia NAND flash -muistipiirejä.

Uudet piirit ovat 64 Gb kokoisia ja muodostuvat 3-bittisistä soluista. Samsung ei kerro tarkalleen monenko nanometrin prosessitekniikkaa se käyttää, luultavasti koska prosessi lienee oikeasti lähempänä 28 nanometriä kuin 20 nanometriä.

Uudet piirit tulevat käyttöön tiheää tallennustilaa vaativiin ratkaisuihin, kuten Secure Digital (SD) -muistikortteihin ja USB-muisteihin. Uudet kahdeksan gigatavun piirit mahdollistavat flash-muistia käyttävien laitteiden tallennustilan tuplaantumisen myös älypuhelimissa ja SSD-levyissä, joissa käytetään NAND-flashia. Myös Intel on aikeissa valmistaa 25 nm prosessitekniikalla SSD-levyjä, joiden julkaisua odotetaan ensi vuoden alkuun.