HP paljasti aiemmin tänä vuonna kehittelevänsä uutta muistitekniikkaa, jota se kutsui Memristoreiksi. Tekniikka on yksinkertaisempaa, kuin nykyiset transistoreihin perustuvat muistit ja se pystyy säilyttämään bitit ilman jatkuvaa sähkövirtaa. Asiasta uutisoi Tom's Hardware.
Nyt HP ja Hynix ovat solmineet yhteistyösopimuksen tekniikan jatkokehittämiseksi ja muuttamiseksi käyttökelpoisiksi kuluttajatuotteiksi. Yhtiöt aikovat yhdessä kehittää uusia materiaaleja sekä valmistumenetelmiä, joilla tekniikka kaupallistetaan Resistive Random Access Memory (ReRAM) -nimellä.
ReRAM muistitekniikka on ns. haihtumatonta muisti, joka saattaisi huomattavasti vähävirtaisempana ja nopeampana tulevaisuudessa korvata esimerkiksi Flash-muistin. ReRAM -tekniikalla voidaan toteuttaa myös perinteinen DRAM-keskusmuisti, tai siitä voidaan kasata suuren tallennuskapasiteetin kiintolevyjä.
Memristoreiden erikoisuus on myös niiden kyky suorittaa loogisia laskutoimituksia. Se voisi muuttaa perinteistä tietokoneen rakennetta radikaalisti, kun loogiset operaatiot suoritettaisiin samassa paikassa, missä data on tallennettu perinteisen erillisen prosessointiyksikön sijaan.
ReRAM muistitekniikka on ns. haihtumatonta muisti, joka saattaisi huomattavasti vähävirtaisempana ja nopeampana tulevaisuudessa korvata esimerkiksi Flash-muistin. ReRAM -tekniikalla voidaan toteuttaa myös perinteinen DRAM-keskusmuisti, tai siitä voidaan kasata suuren tallennuskapasiteetin kiintolevyjä.
Memristoreiden erikoisuus on myös niiden kyky suorittaa loogisia laskutoimituksia. Se voisi muuttaa perinteistä tietokoneen rakennetta radikaalisti, kun loogiset operaatiot suoritettaisiin samassa paikassa, missä data on tallennettu perinteisen erillisen prosessointiyksikön sijaan.
