Intel ja Micron pakkaavat flash-muistia tiiviimmäksi

Kirjoittaja Teemu Laitila,

Intel ja Micron pakkaavat flash-muistia tiiviimmäksi
Kilpailu flashmuistien markkinoilla käy entistä kiivaammaksi, kun Intel ja Micron ovat esitelleet seuraavan sukupolven 25 nm NAND-siruja. Uudet muistit käyttävät TLC eli triple-level-cell-tekniikkaa, jonka ansiosta jokaiseen NAND-soluun voidaan perinteisen yhden tai kahden bitin sijaan säilöä kolme bittiä kerralla. Intelin ja Micronin yhteisyrityksestä IMFT:ta kerrotaan, että täysimittainen tuotanto saadaan käyntiin jouluun mennessä.

Uusi tekniikka mahdollistaa bittien säilömisen 20% pienempään tilaan aiempaan verrattuna. Käytännössä se tarkoittaa tallennuskapasiteetin kasvamista ilman fyysisen koon kasvua. Suurempi tallennustiheys vähentää myös valmistusmateriaalin kustannuksia ja ainakin teoriassa laskee kuluttajahintoja. Flash-muistia käytetään usein esimerkiksi kameroiden ja kannettavien mediasoittimien tallennusratkaisuna ja yhä enenevissä määrin myös PC:n kiintolevyn korvaajana.

"Siirryimme jo tammikuussa käyttämään tuotteissamme 25 nm tekniikkaa, joka on alan huippua tällä hetkellä. Nyt siirtyminen 3-bit-per-cell-teknikkaan (3bpc) antaa meille mahdollisuuden tarjota asiakkaillemme tulevaisuudessakin kilpailukykyisiä NAND-tuotteita", hehkuttaa Intelin varatoimitusjohtaja sekä Intelin NAND Solutions Group -osaston johtaja Tom Rampone.

Uuden tekniikan ei odoteta vaikuttavan Inteliltä aiemmin vuotaneen julkistussuunnitelman tuotteisiin, vaan ne valmistetaan vielä vanhemmalla MLC-tekniikalla.

Kommentoi uutista